IXYS N Kanal, MOSFET, 120 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Polar

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rör med 30 enheter)*

2 206,50 kr

(exkl. moms)

2 758,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 11 augusti 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 +73,55 kr2 206,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-4488
Tillv. art.nr:
IXFH120N15P
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

120A

Maximal källspänning för dränering Vds

150V

Kapseltyp

TO-247

Serie

HiperFET, Polar

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

16mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

600W

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

150nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

21.46mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

16.26mm

Bredd

5.3mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™-serie


N-kanaliga effekt-MOSFET:er med snabb inbyggd diod (HiPerFET™) från IXYS

MOSFET-transistorer, IXYS


Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.