onsemi 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 600 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-523 (SC-89), PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 166-2664
- Tillv. art.nr:
- FDY300NZ
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 166-2664
- Tillv. art.nr:
- FDY300NZ
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 600mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SOT-523 (SC-89) | |
| Serie | PowerTrench | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 240mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 12V, -12V | |
| Maximal effektförlust Pd | 625mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Bredd | 980μm | |
| Höjd | 780μm | |
| Längd | 1.7mm | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 600mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SOT-523 (SC-89) | ||
Serie PowerTrench | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 240mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 12V, -12V | ||
Maximal effektförlust Pd 625mW | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Bredd 980μm | ||
Höjd 780μm | ||
Längd 1.7mm | ||
Antal element per chip 1 | ||
PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Relaterade länkar
- onsemi 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 600 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-523 (SC-89), PowerTrench
- onsemi Enkel N Kanal, MOSFET, 600 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-523 (SC-89), PowerTrench
- onsemi 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 600 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-89-6, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 830 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-89, PowerTrench
- onsemi Diod Omkoppling, Gemensam katod, 30 V, 5 ns, 200 mA, 3 Ben SOT-523 (SC-89)
- onsemi N Kanal, MOSFET, 115 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SC-89, 2N7002T
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 760 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-89
- onsemi N Kanal, MOSFET, 3.2 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-223, PowerTrench