Sök efter MPN

Infineon 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 2.3 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET

RS-artikelnummer:: 166-1112
Tillv. art.nr:: IRF7104PBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 2.3 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET

Mängdrabatt möjlig

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rör med 95 enheter)*

852,91 kr

(exkl. moms)

1 066,09 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

380 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rör*
95 - 95	8,978 kr	852,91 kr
190 - 380	7,272 kr	690,84 kr
475 - 855	6,734 kr	639,73 kr
950 - 2280	6,284 kr	596,98 kr
2375 +	5,836 kr	554,42 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 166-1112
Tillv. art.nr:: IRF7104PBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	Typ P
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	2.3A
	Maximal källspänning för dränering Vds	20V
	Kapseltyp	SOIC
	Serie	HEXFET
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	400mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-12V, +12V
	Maximal effektförlust Pd	2W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	9.3nC
	Framåtriktad spänning Vf	-1.2V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Transistorkonfiguration	Isolerad
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	4mm
	Längd	5mm
	Höjd	1.5mm
	Antal element per chip	2
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp Typ P
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.3A
	Maximal källspänning för dränering Vds 20V
	Kapseltyp SOIC
	Serie HEXFET
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 400mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -12V, +12V
	Maximal effektförlust Pd 2W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 9.3nC
	Framåtriktad spänning Vf -1.2V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Transistorkonfiguration Isolerad
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 4mm
	Längd 5mm
	Höjd 1.5mm
	Antal element per chip 2
	Fordonsstandard Nej

P-kanals Power MOSFET 12V till 20V, Infineon

Infineons sortiment av diskreta HEXFET® power MOSFETs omfattar P-kanaliga enheter i ytmonterade och blyade kapslingar och formfaktorer som kan hantera nästan alla utmaningar inom kortlayout och termisk design. Hela sortimentets riktmärke för motstånd minskar ledningsförlusterna, vilket gör det möjligt för konstruktörerna att leverera optimal systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.