DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMN AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 165-8895
- Tillv. art.nr:
- DMN4800LSSL-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
3 397,50 kr
(exkl. moms)
4 247,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 17 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 1,359 kr | 3 397,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 165-8895
- Tillv. art.nr:
- DMN4800LSSL-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Serie | DMN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 20mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.46W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.94V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 8.7nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Längd | 4.95mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Serie DMN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 20mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1.46W | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.94V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 8.7nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.5mm | ||
Längd 4.95mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanal MOSFET, 30 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMN AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 9.4 A 20 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMN AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 1.6 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SOT-23, DMN AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 800 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, DMN AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 217 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, DMN AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 261 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, DMN AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8, DMN AEC-Q101