DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 4 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8, DMN AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 246-7519
- Tillv. art.nr:
- DMN6069SFVW-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (25 enheter, i en förpackning med 25)*
118,83 kr
(exkl. moms)
148,53 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 1 925 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 + | 4,753 kr | 118,83 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 246-7519
- Tillv. art.nr:
- DMN6069SFVW-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | PowerDI3333-8 | |
| Serie | DMN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.1Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 8V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.73W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 2mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 2.7mm | |
| Höjd | 850μm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp PowerDI3333-8 | ||
Serie DMN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.1Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 8V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1.73W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 2mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 2.7mm | ||
Höjd 850μm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
DiodesZetex gör en MOSFET med N-kanalförstärkningsläge, utformad för att minimera motståndet i påläge (RDS(ON)) samtidigt som den upprätthåller överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar. Det är en grön enhet som är helt fri från bly, halogen och antimon. Denna MOSFET levereras i powerDI3333-8-förpackning. Den erbjuder snabb omkoppling och hög effektivitet.
Maximal dränering till källspänning är 60 V. Maximal grind till källspänning är ±20 V. Den erbjuder en liten formfaktor och termiskt effektiv förpackning för slutprodukter med högre densitet. Den erbjuder en liten formfaktor för termisk effektiv förpackning för slutprodukter med högre densitet. Vätbar flank för förbättrade optiska inspektioner
Relaterade länkar
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 4 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 5.3 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 49.1 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 26 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 41 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8 AEC-Q101
- DiodesZetex P-kanal Kanal, MOSFET, -10.3 A -60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8, DMP6023LFG AEC-Q101