Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- RS-artikelnummer:
- 165-8270
- Tillv. art.nr:
- IPB034N06L3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 1000 enheter)*
12 064,00 kr
(exkl. moms)
15 080,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- Leverans från den 26 januari 2027
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 12,064 kr | 12 064,00 kr |
| 2000 + | 11,762 kr | 11 762,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 165-8270
- Tillv. art.nr:
- IPB034N06L3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 90A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 59nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 167W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.31mm | |
| Höjd | 4.57mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 9.45mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 90A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 59nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 167W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.31mm | ||
Höjd 4.57mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 9.45mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
RoHS-status: Inte relevant
- COO (ursprungsland):
- CN
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60 till 80V
MOSFET-transistorer, Infineon
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 34 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 64 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
