STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STripFET
- RS-artikelnummer:
- 760-9904
- Tillv. art.nr:
- STD40NF10
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
87,00 kr
(exkl. moms)
108,75 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 10 enhet(er) från den 27 april 2026
- Dessutom levereras 1 465 enhet(er) från den 04 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 17,40 kr | 87,00 kr |
| 10 - 95 | 14,72 kr | 73,60 kr |
| 100 - 495 | 11,154 kr | 55,77 kr |
| 500 - 995 | 9,43 kr | 47,15 kr |
| 1000 + | 7,534 kr | 37,67 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 760-9904
- Tillv. art.nr:
- STD40NF10
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 50A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | STripFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 28mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 46.5nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 125W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 6.6mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 2.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 50A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie STripFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 28mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 46.5nC | ||
Maximal effektförlust Pd 125W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 6.6mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 2.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal 50 A 100 V Förbättring TO-252, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal 24 A 60 V Förbättring TO-252, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal 16 A 60 V Förbättring TO-252, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal 35 A 60 V Förbättring TO-252, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal 17 A 30 V Förbättring TO-252, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal 18 A 200 V Förbättring TO-252, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal 13 A 100 V Förbättring TO-252, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal 23 A 100 V Förbättring TO-252, STripFET
