Vishay N Kanal, MOSFET, 50 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- RS-artikelnummer:
- 165-6284
- Tillv. art.nr:
- SUD50N04-8M8P-4GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
6 870,00 kr
(exkl. moms)
8 587,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 2 500 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 2,748 kr | 6 870,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 165-6284
- Tillv. art.nr:
- SUD50N04-8M8P-4GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 50A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.0088Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.81V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 48.1W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20, +20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 37nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.73mm | |
| Höjd | 2.38mm | |
| Bredd | 6.22mm | |
| Standarder/godkännanden | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 50A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.0088Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.81V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 48.1W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 37nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.73mm | ||
Höjd 2.38mm | ||
Bredd 6.22mm | ||
Standarder/godkännanden IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- TW
N-kanal MOSFET, 30 V till 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 50 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- Infineon N Kanal, MOSFET, 31 A 650 V Förbättring, TO-252, IPD
- ROHM N Kanal, MOSFET 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, R65
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 12 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 6.1 A 70 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- onsemi N Kanal, MOSFET, 14 A 50 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- ROHM N Kanal, MOSFET, 9 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- Vishay N Kanal, MOSFET, 1.7 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-252