STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 22 A 650 V Förbättring, 3 Ben, I2PAK, STI28
- RS-artikelnummer:
- 164-6960
- Tillv. art.nr:
- STI28N60M2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
1 169,30 kr
(exkl. moms)
1 461,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 23 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 23,386 kr | 1 169,30 kr |
| 250 - 450 | 22,803 kr | 1 140,15 kr |
| 500 + | 22,172 kr | 1 108,60 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 164-6960
- Tillv. art.nr:
- STI28N60M2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 22A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | STI28 | |
| Kapseltyp | I2PAK | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 150mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 170W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.6mm | |
| Längd | 10.4mm | |
| Höjd | 9.3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 22A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie STI28 | ||
Kapseltyp I2PAK | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 150mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximal effektförlust Pd 170W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.6mm | ||
Längd 10.4mm | ||
Höjd 9.3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Dessa enheter är N-kanaliga effekt-MOSFET-transistorer som utvecklats med MDmeshTM M2-teknik. Tack vare deras remslayout och förbättrad vertikal struktur uppvisar dessa enheter låg påslagningsresistans och optimerade omkopplingsegenskaper, vilket gör dem lämpliga för de mest krävande omvandlarna med hög effektivitet.
Extremt låg grindladdning
Utmärkt utgångskapacitansprofil (COSS)
100 % avalanche-testade
Zener-skyddad
Extremt låg Qg för ökad effektivitet
Optimerade portladdnings- och kapacitansprofiler för resonanta strömförsörjningar (LLC-omvandlare)
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 22 A 650 V Förbättring, 3 Ben, I2PAK, STI28
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 5 A 650 V Förbättring, 3 Ben, IPAK
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SCT
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Förbättring, 4 Ben, PowerFLAT, SCTL35N65G2V
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 22 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh M2
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 22 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh M2
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 22 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh M5