STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SCT
- RS-artikelnummer:
- 366-221
- Tillv. art.nr:
- SCT040W65G3-4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
109,31 kr
(exkl. moms)
136,64 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 56 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 109,31 kr |
| 10 - 99 | 98,34 kr |
| 100 + | 91,17 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 366-221
- Tillv. art.nr:
- SCT040W65G3-4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 30A | |
| Uteffekt | 240W | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | SCT | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 200°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 5.1mm | |
| Längd | 20.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 30A | ||
Uteffekt 240W | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie SCT | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 200°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 5.1mm | ||
Längd 20.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics silikonkarbid Power MOSFET-enhet har utvecklats med ST:s avancerade och innovativa 3:e generationens SiC MOSFET-teknik. Enheten har en mycket låg RDS(on) över hela temperaturområdet i kombination med låga kapaciteter och mycket höga omkopplingsoperationer, vilket förbättrar applikationsprestanda när det gäller frekvens, energieffektivitet, systemstorlek och viktminskning.
Mycket låg RDS(on) över hela temperaturområdet
Växlingsprestanda med hög hastighet
Mycket snabb och robust inre kroppsdiod
Mycket hög kopplingstemperaturkapacitet
Källdetekteringsstift för ökad effektivitet
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, Sct
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 60 A 650 V Förbättring, 7 Ben, HU3PAK, Sct AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 3 Ben, HIP-247-3, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 650 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT AEC-Q101