onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 3.7 A 8 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NTR2101P
- RS-artikelnummer:
- 162-9612
- Tillv. art.nr:
- NTR2101PT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Försörjningsbrist
På grund av en global utbudsbrist vet vi inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 162-9612
- Tillv. art.nr:
- NTR2101PT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 8V | |
| Serie | NTR2101P | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 120mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 960mW | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 12nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 8V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.01mm | |
| Längd | 3.04mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 8V | ||
Serie NTR2101P | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 120mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 960mW | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 12nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 8V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.01mm | ||
Längd 3.04mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 1.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
P-kanalig effekt-MOSFET, 8V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterade länkar
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 3.7 A 8 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NTR2101P
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 3.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1.9 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 2.4 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 900 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NDS352AP
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 180 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NDS0605
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 3 A 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, PowerTrench