Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, -5.3 A -20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 153-1886
- Tillv. art.nr:
- PMV30XPEAR
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
114,45 kr
(exkl. moms)
143,05 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 01 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | 4,578 kr | 114,45 kr |
| 250 - 600 | 2,415 kr | 60,38 kr |
| 625 - 1225 | 2,097 kr | 52,43 kr |
| 1250 - 2475 | 1,783 kr | 44,58 kr |
| 2500 + | 1,743 kr | 43,58 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 153-1886
- Tillv. art.nr:
- PMV30XPEAR
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -5.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -20V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 57mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 5.44W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1mm | |
| Längd | 3mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -5.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -20V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 57mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 5.44W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1mm | ||
Längd 3mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
20 V, P-kanal Trench MOSFET, P-kanalförstärkningsläge Fälteffekttransistor (FET) i en liten SOT23 (TO-236AB) ytmonterad enhet (SMD) plastpaket med Trench MOSFET-teknik.
Trench MOSFET-teknik
Mycket snabb omkoppling
Förbättrad effektförlustkapacitet: Ptot = 980 mW
>
AEC-Q101-godkänd
Relädrivare
Höghastighetsledningsdrivare
Lastomkopplare på höga sidan
Omkopplingskretsar
Relaterade länkar
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, -5.3 A -20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, -5.6 A -20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, -3.3 A -20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 2.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSH205G2 AEC-Q101
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 1.5 A 40 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PMV250EPEA AEC-Q101
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 130 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS84 AEC-Q101
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NX2301P AEC-Q101
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 230 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NX3008PBK AEC-Q101