Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, -5.3 A -20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

114,45 kr

(exkl. moms)

143,05 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 3 000 enhet(er) levereras från den 22 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 - 2254,578 kr114,45 kr
250 - 6002,415 kr60,38 kr
625 - 12252,097 kr52,43 kr
1250 - 24751,783 kr44,58 kr
2500 +1,743 kr43,58 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
153-1886
Tillv. art.nr:
PMV30XPEAR
Tillverkare / varumärke:
Nexperia
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Nexperia

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

-5.3A

Maximal källspänning för dränering Vds

-20V

Kapseltyp

SOT-23

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

57mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

11nC

Maximal effektförlust Pd

5.44W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

3mm

Höjd

1mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

20 V, P-channel Trench MOSFET, P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Trench MOSFET technology

Very fast switching

Enhanced power dissipation capability: Ptot = 980 mW

ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM

AEC-Q101 qualified

Relay driver

High-speed line driver

High-side loadswitch

Switching circuits

Relaterade länkar