Nexperia N Kanal, MOSFET, 1 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 152-7155
- Tillv. art.nr:
- PMV280ENEAR
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
3 240,00 kr
(exkl. moms)
4 050,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 14 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,08 kr | 3 240,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 152-7155
- Tillv. art.nr:
- PMV280ENEAR
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 892mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 5W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 4.5nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Längd | 3mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 892mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 5W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4.5nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 1.4mm | ||
Längd 3mm | ||
Höjd 1mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
N-kanaliga MOSFET-transistorer 75 V–200 V, du har nu gått in i en av världens främsta standard-MOS-portföljer. Letar du efter högtillförlitliga MOSFET-transistorer i 75 V till 200 V-området som förenklar designen? Våra enheter är perfekta för utrymmes- och strömkritiska tillämpningar, ger utmärkt omkopplingsprestanda och klassledande säkert driftsområde (SOA). Vårt LFPAK-effekt-MOSFET-sortiment kan till exempel skryta med ultralåg RDSon, höghastighetsomkoppling och spänningsvärden upp till 200 V.
100 V N-kanal Trench MOSFET, N-kanalförstärkningsläge Fälteffekttransistor (FET) i en liten SOT23 (TO-236AB) ytmonterad enhet (SMD) plastpaket med Trench MOSFET-teknik.
Kompatibel med logiknivå
Mycket snabb omkoppling
Trench MOSFET-teknik
>
AEC-Q101-godkänd
Relädrivare
Höghastighetsledningsdrivare
Lastomkopplare på låg sida
Omkopplingskretsar
Relaterade länkar
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 1 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 5.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 1.5 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 3 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 6.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 4.7 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 3.1 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 3.9 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101