Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 6.3 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

3 993,00 kr

(exkl. moms)

4 992,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 3 000 enhet(er) levereras från den 13 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +1,331 kr3 993,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
153-0718
Tillv. art.nr:
PMV20XNEAR
Tillverkare / varumärke:
Nexperia
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Nexperia

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

6.3A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

SOT-23

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

34mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

6.94W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

9.9nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

12V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

1.4mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

3mm

Höjd

1mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

20 V, N-kanal Trench MOSFET, N-kanalförstärkningsläge Fälteffekttransistor (FET) i en liten SOT23 (TO-236AB) ytmonterad enhet (SMD) plastförpackning med Trench MOSFET-teknik.

Låg tröskelspänning

Mycket snabb omkoppling

Trench MOSFET-teknik

>

AEC-Q101-godkänd

Relädrivare

Höghastighetsledningsdrivare

Lastomkopplare på låg sida

Omkopplingskretsar

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.