Nexperia N Kanal, MOSFET, 3.9 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.

Alternativ

Denna produkt är för närvarande inte tillgänglig. Vi rekommenderar denna produkt istället.

presentation
Vishay N Kanal, MOSFET, 8 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SQ AEC-Q101
RS-artikelnummer
280-0009

Var (i en rulle med 3000)

4 797,00 kr

(exkl. moms)

5 996,25 kr

(inkl. moms)

RS-artikelnummer:
152-7154
Tillv. art.nr:
PMV50ENEAR
Tillverkare / varumärke:
Nexperia
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Nexperia

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

3.9A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

SOT-23

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

69mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

3.9W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

6nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

1.4mm

Längd

3mm

Höjd

1mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

30 V, N-kanal Trench MOSFET, N-kanalförstärkningsläge Fälteffekttransistor (FET) i en liten SOT23 (TO-236AB) ytmonterad enhet (SMD) plastförpackning med Trench MOSFET-teknik.

Kompatibel med logiknivå

Mycket snabb omkoppling

Trench MOSFET-teknik

>

AEC-Q101-godkänd

Relädrivare

Höghastighetsledningsdrivare

Lastomkopplare på låg sida

Omkopplingskretsar

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.