Vishay N Kanal, MOSFET, 8 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SQ AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 280-0009
- Tillv. art.nr:
- SQ2348CES-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 280-0009
- Tillv. art.nr:
- SQ2348CES-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | SQ | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.042Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 3W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 14.5nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.81V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 3.04mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie SQ | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.042Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 3W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 14.5nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.81V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 3.04mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Vishay Automotive MOSFET är en N-kanal MOSFET och transistorn i den är tillverkad av material som kallas kisel.
TrenchFET effekt MOSFET
100 procent Rg- och UIS-testat
AEC-Q101-godkänd
Helt blyfri (Pb)-enhet
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 8 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SQ AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 1.7 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SQ AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal, Effekt-MOSFET, 2.8 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SQ AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 3 A 12 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SQ Rugged AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 2.2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SQ Rugged AEC-Q101
- Vishay N Kanal, TrenchFET effekt-MOSFET, 6 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SQ Rugged AEC-Q101
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -2.5 A -30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -0.84 A -150 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET AEC-Q101