Vishay N Kanal, MOSFET, 2.7 A 150 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, Si4848DY
- RS-artikelnummer:
- 152-6374
- Tillv. art.nr:
- SI4848DY-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
109,54 kr
(exkl. moms)
136,93 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 450 enhet(er) levereras från den 13 oktober 2026
- Dessutom levereras 15 enhet(er) från den 13 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 21,908 kr | 109,54 kr |
| 50 - 120 | 19,756 kr | 98,78 kr |
| 125 - 245 | 18,636 kr | 93,18 kr |
| 250 - 495 | 17,516 kr | 87,58 kr |
| 500 + | 16,442 kr | 82,21 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 152-6374
- Tillv. art.nr:
- SI4848DY-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Serie | Si4848DY | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 95mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 3W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 17nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 5mm | |
| Höjd | 1.55mm | |
| Bredd | 4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Serie Si4848DY | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 95mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 3W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 17nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 5mm | ||
Höjd 1.55mm | ||
Bredd 4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Halogenfri
TrenchFET®-effekt-MOSFET-transistorer
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 2.7 A 150 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, Si4848DY
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 2.7 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 14 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, Si4134DY
- Vishay N Kanal, MOSFET, 19 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 13.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, Si4162DY
- Vishay N Kanal, MOSFET, 10.9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 12 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, Si4178DY
- Vishay N Kanal, MOSFET, 36 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, TrenchFET