Vishay N Kanal, MOSFET, 2.7 A 150 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, Si4848DY

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

17 875,00 kr

(exkl. moms)

22 350,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 09 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +7,15 kr17 875,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
146-4444
Tillv. art.nr:
SI4848DY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2.7A

Maximal källspänning för dränering Vds

150V

Kapseltyp

SOIC

Serie

Si4848DY

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

95mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

17nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal effektförlust Pd

3W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

4mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

5mm

Höjd

1.55mm

Fordonsstandard

Nej

Halogenfri

TrenchFET®-effekt-MOSFET-transistorer

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.