Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 180 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS84AK AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 792-0908
- Tillv. art.nr:
- BSS84AK,215
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Få en mängdrabatt
Lägg till 200 till för att spara 10%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 100 enheter)*
62,40 kr
(exkl. moms)
78,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 7 200 enhet(er) är redo att levereras
- Plus 5 300 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
- Dessutom levereras 1 900 enhet(er) från den 12 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 100 - 100 | 0,624 kr | 62,40 kr | - |
| 200 - 400 | 0,561 kr | 56,10 kr | 10% |
| 500 + | 0,499 kr | 49,90 kr | 20% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 792-0908
- Tillv. art.nr:
- BSS84AK,215
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 180mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 50V | |
| Serie | BSS84AK | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.26nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 420mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 1.4mm | |
| Längd | 3mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 180mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 50V | ||
Serie BSS84AK | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.26nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 420mW | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 1.4mm | ||
Längd 3mm | ||
Höjd 1mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
P-kanal MOSFET, Nexperia
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterade länkar
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 180 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS84AK AEC-Q101
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NX2301P AEC-Q101
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 230 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NX3008PBK AEC-Q101
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 400 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NX3008NBK AEC-Q101
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 360 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS138P AEC-Q101
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 350 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002BK AEC-Q101
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 3.9 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, -3.3 A -20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101