Vishay N Kanal, MOSFET, 4.6 A 80 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, Si3476DV
- RS-artikelnummer:
- 146-4442
- Tillv. art.nr:
- SI3476DV-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
3 870,00 kr
(exkl. moms)
4 830,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 6 000 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,29 kr | 3 870,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 146-4442
- Tillv. art.nr:
- SI3476DV-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | Si3476DV | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.093Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 3.6W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 4.9nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3.1mm | |
| Bredd | 1.7mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie Si3476DV | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.093Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 3.6W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4.9nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3.1mm | ||
Bredd 1.7mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
TrenchFET® effekt-MOSFET
Materialkategorisering:
ANSÖKNINGAR
Lastomkopplare för bärbara tillämpningar
Switch för LED-bakgrundsbelysning
DC/DC-omvandlare
Boost-omvandlare
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 4.6 A 80 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23, Si3476DV
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 2.2 A 80 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 3 A 80 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 4.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- Vishay N Kanal, MOSFET, 5.8 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, Si2366DS
- Vishay N Kanal, MOSFET, 1.8 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SI
- Vishay N Kanal, MOSFET, 3.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, Si2304DDS
- Vishay N Kanal, MOSFET, 5.9 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, Si2374DS