IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 34 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, HiperFET, Polar3

Antal (1 enhet)*

108,90 kr

(exkl. moms)

136,12 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Beställningar under 500,00 kr (exkl. moms) kostar 119,00 kr.
I lager
  • 299 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 +108,90 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
802-4372
Distrelec artikelnummer:
302-53-320
Tillv. art.nr:
IXFH34N50P3
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

34A

Maximal källspänning för dränering Vds

500V

Serie

HiperFET, Polar3

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

175mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

60nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30 V

Maximal effektförlust Pd

695W

Framåtriktad spänning Vf

1.4V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

16.26mm

Höjd

21.46mm

Bredd

5.3 mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™-serien


Ett sortiment av IXYS Polar3™-serie N-kanaliga Power MOSFETs med snabb inbyggd diod (HiPerFET™)

MOSFET-transistorer, IXYS


Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS

Relaterade länkar

Recently viewed