Infineon N Kanal, MOSFET, 17 A 550 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS CP

RS-artikelnummer:: 145-9724
Tillv. art.nr:: IPA50R199CPXKSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 17 A 550 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS CP

Antal (1 rör med 50 enheter)*

942,80 kr

(exkl. moms)

1 178,50 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 26 januari 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rör*
50 +	18,856 kr	942,80 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 145-9724
Tillv. art.nr:: IPA50R199CPXKSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	17A
	Maximal källspänning för dränering Vds	550V
	Serie	CoolMOS CP
	Kapseltyp	TO-220
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	199mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	34nC
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-30V, +30V
	Maximal effektförlust Pd	139W
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	10.65mm
	Bredd	4.85mm
	Höjd	16.15mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 17A
	Maximal källspänning för dränering Vds 550V
	Serie CoolMOS CP
	Kapseltyp TO-220
	Typ av fäste Genomgående hål
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 199mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 34nC
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -30V, +30V
	Maximal effektförlust Pd 139W
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden No
	Längd 10.65mm
	Bredd 4.85mm
	Höjd 16.15mm
	Fordonsstandard Nej

COO (ursprungsland):: CN

Infineon CoolMOS CP-serien MOSFET, 17 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 139 W maximal effektförlust - IPA50R199CPXKSA1

Denna MOSFET är en högpresterande komponent som är lämplig för olika tillämpningar inom automation, elektronik och elsektorer. Det hanterar behovet av effektiv energihantering och styrning, vilket förbättrar den övergripande systemprestanda. Med funktioner som hög kontinuerlig dräneringsströmkapacitet och betydande spänningshantering är den ett viktigt val för avancerade elektroniska konstruktioner.

Funktioner & fördelar

• Maximal kontinuerlig dräneringsström på 17 A för robust strömförsörjning

• Maximal drain-källspänning på 550 V för olika tillämpningar

• Låg Rds(on) på 199 mΩ för förbättrad effektivitet

• Förbättringslägesdesign för förbättrade omkopplingsegenskaper

• TO-220 FP-paket för enkel installation

• Hög effektförlust på 139 W lämplig för utmanande miljöer

Användningsområden

• Högeffektsomvandlare för att förbättra energieffektiviteten

• Motorstyrning som kräver hög ström

• Industriella automationssystem för ökad tillförlitlighet

• Switchade nätaggregat som behöver effektiva komponenter

Vilka är de termiska gränserna för användning?

Produkten fungerar mellan -55 °C och +150 °C, vilket ger mångsidighet för olika miljöer.

Hur påverkar grindströskelspänningen prestandan?

Grindtröskelspänningen varierar från 2,5 V till 3,5 V, vilket optimerar omkopplingsprestanda enligt kretsförhållanden.

Vilka förpackningsalternativ finns tillgängliga för denna komponent?

Den levereras i en TO-220 FP-förpackning, vilket underlättar montering med genomgående hål för enkel integrering i kretsar.

Är komponenten lämplig för högfrekvenstillämpningar?

Ja, den fungerar vanligtvis med en grindladdning på 34 nC vid 10 V, vilket gör att den kan fungera effektivt i högfrekvenstillämpningar.

Hur säkerställer jag korrekt installation?

Se databladets rekommendationer för montering och anslutningar för att uppnå optimal prestanda och säkerhet under användning.