Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 550 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS CP

RS-artikelnummer:: 145-9724
Tillv. art.nr:: IPA50R199CPXKSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 550 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS CP

Antal (1 rör med 50 enheter)*

727,80 kr

(exkl. moms)

909,75 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 26 augusti 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rör*
50 +	14,556 kr	727,80 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 145-9724
Tillv. art.nr:: IPA50R199CPXKSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	17A
	Maximal källspänning för dränering Vds	550V
	Kapseltyp	TO-220
	Serie	CoolMOS CP
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	199mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	139W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	34nC
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Längd	10.65mm
	Standarder/godkännanden	No
	Höjd	16.15mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 17A
	Maximal källspänning för dränering Vds 550V
	Kapseltyp TO-220
	Serie CoolMOS CP
	Typ av fäste Genomgående hål
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 199mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 139W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 34nC
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Längd 10.65mm
	Standarder/godkännanden No
	Höjd 16.15mm
	Fordonsstandard Nej

COO (ursprungsland):: CN

Infineon CoolMOS CP Series MOSFET, 17A Maximum Continuous Drain Current, 139W Maximum Power Dissipation - IPA50R199CPXKSA1

This MOSFET is a high-performance component suitable for various applications in the automation, electronics, and electrical sectors. It addresses the need for efficient power management and control, thereby enhancing overall system performance. With features such as high continuous drain current capacity and substantial voltage handling, it is an important choice for advanced electronic designs.

Features & Benefits

• Maximum continuous drain current of 17A for robust power delivery

• Maximum drain-source voltage of 550V for diverse applications

• Low Rds(on) at 199mΩ for enhanced efficiency

• Enhancement mode design for improved switching characteristics

• TO-220 FP package for straightforward installation

• High power dissipation of 139W suitable for challenging environments

Applications

• High power converters to improve energy efficiency

• Motor control that require high current

• Industrial automation systems for increased reliability

• Switch-mode power supplies that need efficient components

What are the thermal limits for usage?

The product operates between -55°C and +150°C, providing versatility for various environments.

How does the gate threshold voltage impact performance?

The gate threshold voltage varies from 2.5V to 3.5V, optimising switching performance according to circuit conditions.

What packaging options are available for this component?

It comes in a TO-220 FP package, facilitating through-hole mounting for easy integration into circuits.

Is the component suitable for high-frequency applications?

Yes, it typically operates with a gate charge of 34nC at 10V, allowing it to function efficiently in high-frequency applications.

How do I ensure proper installation?

Refer to the datasheet recommendations for mounting and connections to achieve optimal performance and safety during use.