Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 145-9698
- Tillv. art.nr:
- IRFB4110GPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (50 enheter, i ett rör med 50)*
2 304,95 kr
(exkl. moms)
2 881,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 100 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 46,099 kr | 2 304,95 kr |
| 100 - 200 | 43,796 kr | 2 189,80 kr |
| 250 + | 41,03 kr | 2 051,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 145-9698
- Tillv. art.nr:
- IRFB4110GPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 180A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | TO-220AB | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 150nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 370W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 4.83mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 16.51mm | |
| Längd | 10.67mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 180A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp TO-220AB | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 150nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal effektförlust Pd 370W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 4.83mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 16.51mm | ||
Längd 10.67mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals effekt-MOSFET 100V, Infineon
Infineons sortiment av diskreta HEXFET® power MOSFETs omfattar N-kanals enheter i ytmonterade och blyade kapslingar. Och formfaktorer som kan hantera nästan alla utmaningar när det gäller kortlayout och termisk design. Hela sortimentets riktmärke för motstånd minskar ledningsförlusterna, vilket gör det möjligt för konstruktörerna att leverera optimal systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 270 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 18 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 87 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 53 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, HEXFET
- Infineon 1 N Kanal Enkel, MOSFET Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, HEXFET AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 92 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, HEXFET
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 202 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, HEXFET