Infineon N Kanal, MOSFET, 97 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rör med 50 enheter)*

405,00 kr

(exkl. moms)

506,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 300 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rör*
50 - 508,10 kr405,00 kr
100 - 2006,657 kr332,85 kr
250 - 4506,574 kr328,70 kr
500 - 9506,496 kr324,80 kr
1000 +6,42 kr321,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
145-9198
Tillv. art.nr:
IRFB4410ZPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

97A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TO-220

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

9mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

83nC

Maximal effektförlust Pd

230W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

4.82mm

Höjd

9.02mm

Längd

10.66mm

Fordonsstandard

Nej

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 100 V maximal drain-källspänning, 97 A maximal kontinuerlig drain-ström – IRFB4410ZPBF


Denna MOSFET är en högeffektsomkopplingstransistor som är utformad för genomgående hålmontering i kraftelektronikenheter. Den fungerar som en N-kanalförstärkningsenhet som kan hantera betydande kontinuerlig dräneringsström och hög dräneringskällspänning över ett brett omgivningsområde, vilket gör den lämplig för krävande termiska miljöer och konventionella kylelement.

Funktioner och fördelar:


• 100 V drain-source-spänning möjliggör högspänningsomkoppling
• 97 A kontinuerlig ström stöder tillämpningar med hög belastning
• 9 mΩ Rds(on) minimerar ledningsförluster under drift
• 230 W effektförlust möjliggör kontinuerlig användning av hög effekt
• 83 nC typisk grindladdning ger förutsägbar omkopplingsenergi
• 20 V gate-tolerans möjliggör robusta gate-drivmarginaler

Användningsområden


• Lämplig för industriella motorstyrda växelriktarsteg
• Idealisk för högströms DC/DC-omvandlare och strömförsörjningar
• Används för strömomkoppling i telekom- och serverförsörjning
• Kan användas för batterihantering och laddningssystem
• Lämplig för prototypframställning av laboratorieelektronik

Vilken typ av förpackning finns för montering och kylning?


Den levereras i en TO-220-förpackning med genomgående hål som underlättar säker kretskortsmontering och enkel anslutning till en kylelement för värmehantering.

Vilka grinddrivaröverväganden bör jag ta hänsyn till för omkopplingsprestanda?


Förvänta en typisk total grindladdning på 83 nC vid standardgrindspänning

utforma grinddrivare för att leverera och sänka tillräckligt med ström för att uppfylla målomkopplingshastigheter samtidigt som man hanterar omkopplingsförluster.

Hur påverkar kopplingstemperaturområdet distributionen?


Enheten är klassad för drift från -55 °C upp till 175 °C, vilket möjliggör användning i tillämpningar med breda omgivnings- och kopplingstemperaturområden, förutsatt att lämplig termisk design tillämpas.

Vad är framspänning i ledning och dess konsekvenser?


Den framåtriktade ledningsspänningen är 1.3 V under specificerade förhållanden, vilket bidrar till beräkning av övergripande ledningsförluster vid beräkning av värme- och effektbudgetar.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.