Vishay N Kanal, MOSFET, 29 A 150 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR632DP
- RS-artikelnummer:
- 134-9159
- Tillv. art.nr:
- SIR632DP-T1-RE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 134-9159
- Tillv. art.nr:
- SIR632DP-T1-RE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 29A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | SiR632DP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 41mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 14nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 69.5W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 5.26mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.12mm | |
| Längd | 6.25mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 29A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie SiR632DP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 41mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 14nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal effektförlust Pd 69.5W | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 5.26mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.12mm | ||
Längd 6.25mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MOSFET, TrenchFET upp till Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 29 A 150 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR632DP
- Vishay N Kanal, MOSFET, 77.4 A 150 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 26.8 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, SiR
- Vishay N Kanal, MOSFET, 33.8 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, SiR
- Vishay N Kanal, MOSFET, 430 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SO-8
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 29 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 42.6 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR
- Vishay N Kanal, MOSFET, 47.6 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR