ROHM N Kanal, MOSFET, 3.7 A 1.7 kV Förbättring, 3 Ben, TO-3PFM, SCT2H12NZ

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

188,83 kr

(exkl. moms)

236,04 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Dessutom levereras 14 enhet(er) från den 05 oktober 2026
  • Sista 64 enhet(er) levereras från den 12 oktober 2026

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 894,415 kr188,83 kr
10 - 1878,625 kr157,25 kr
20 - 9878,23 kr156,46 kr
100 - 19877,335 kr154,67 kr
200 +75,935 kr151,87 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
133-2860
Tillv. art.nr:
SCT2H12NZGC11
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

3.7A

Maximal källspänning för dränering Vds

1.7kV

Kapseltyp

TO-3PFM

Serie

SCT2H12NZ

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.5Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

21nC

Maximal effektförlust Pd

35W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-6V, +22V

Framåtriktad spänning Vf

4.3V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

Pb-free lead plating, RoHS

Bredd

5mm

Längd

16mm

Höjd

21mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanal MOSFET-transistorer, ROHM


MOSFET-transistorer, ROHM Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.