ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 200 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, RUC002N05

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 100 enheter)*

65,10 kr

(exkl. moms)

81,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 2 300 enhet(er) levereras från den 13 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
100 - 4000,651 kr65,10 kr
500 - 9000,348 kr34,80 kr
1000 - 24000,329 kr32,90 kr
2500 - 49000,321 kr32,10 kr
5000 +0,315 kr31,50 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
124-6837
Tillv. art.nr:
RUC002N05T116
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

200mA

Maximal källspänning för dränering Vds

50V

Serie

RUC002N05

Kapseltyp

SC-70

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

7.2Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

350mW

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

8 V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

3.1mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.15mm

Bredd

1.5 mm

Fordonsstandard

Nej

N-Channel MOSFET Transistors, ROHM


MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor


Relaterade länkar