ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 200 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, RUC002N05
- RS-artikelnummer:
- 124-6837
- Tillv. art.nr:
- RUC002N05T116
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 100 enheter)*
65,10 kr
(exkl. moms)
81,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- 2 300 enhet(er) levereras från den 13 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | 0,651 kr | 65,10 kr |
| 500 - 900 | 0,348 kr | 34,80 kr |
| 1000 - 2400 | 0,329 kr | 32,90 kr |
| 2500 - 4900 | 0,321 kr | 32,10 kr |
| 5000 + | 0,315 kr | 31,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 124-6837
- Tillv. art.nr:
- RUC002N05T116
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 200mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 50V | |
| Serie | RUC002N05 | |
| Kapseltyp | SC-70 | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7.2Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 350mW | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 8 V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.15mm | |
| Bredd | 1.5 mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 200mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 50V | ||
Serie RUC002N05 | ||
Kapseltyp SC-70 | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7.2Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 350mW | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 8 V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.15mm | ||
Bredd 1.5 mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Relaterade länkar
- ROHM Typ N Kanal 3 Ben RE1C001UN
- ROHM Typ N Kanal 70 A 600 V Förbättring, 3 Ben
- ROHM Typ N Kanal 2.5 A 30 V Förbättring SC-96, RQ5E025SN
- ROHM Typ N Kanal 1 A 100 V Förbättring SC-96, RSR010N10
- ROHM Typ N Kanal 3 A 45 V Förbättring SC-96, RQ5H030TN
- onsemi Typ N Kanal 210 mA 50 V Förbättring SC-70, BSS138W
- ROHM Typ N Kanal 70 A 650 V Förbättring TO-247
- Vishay Typ N Kanal 600 mA 30 V Förbättring SC-70, Si1302DL
