ROHM N Kanal, MOSFET, 3 A 45 V Förbättring, 3 Ben, SC-96, RQ5H030TN
- RS-artikelnummer:
- 171-9820
- Tillv. art.nr:
- RQ5H030TNTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 50 enheter)*
178,20 kr
(exkl. moms)
222,75 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 24 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 3,564 kr | 178,20 kr |
| 500 - 700 | 3,208 kr | 160,40 kr |
| 750 - 1450 | 2,919 kr | 145,95 kr |
| 1500 - 2450 | 2,672 kr | 133,60 kr |
| 2500 + | 2,583 kr | 129,15 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 171-9820
- Tillv. art.nr:
- RQ5H030TNTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 45V | |
| Serie | RQ5H030TN | |
| Kapseltyp | SC-96 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 95mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 12V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6.2nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 950μm | |
| Längd | 3mm | |
| Bredd | 1.8mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 45V | ||
Serie RQ5H030TN | ||
Kapseltyp SC-96 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 95mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 12V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 1W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6.2nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 950μm | ||
Längd 3mm | ||
Bredd 1.8mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
RQ5H030TN is a MOSFET with G-S Protection Diode and low on-switching, suitable for switching.
Low on-resistance
Built-in G-S protection diode
Small surface mount package(TSMT3)
Relaterade länkar
- ROHM N Kanal, MOSFET, 3 A 45 V Förbättring, 3 Ben, SC-96, RQ5H030TN
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 3 A 12 V Förbättring, 3 Ben, SC-96, RQ5A030AP
- ROHM N Kanal, MOSFET, 2.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SC-96, RQ5E025SN
- ROHM N Kanal, MOSFET, 1 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SC-96, RSR010N10
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 3.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SC-96, RQ5E035AT
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 1.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SC-96, RRR015P03
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 1.5 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SC-96, RQ5L015SP
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 6 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-96, RQ5C060BC