onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 2 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, PowerTrench

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

33,60 kr

(exkl. moms)

42,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 456,72 kr33,60 kr
50 - 955,78 kr28,90 kr
100 - 4955,018 kr25,09 kr
500 - 9954,436 kr22,18 kr
1000 +4,01 kr20,05 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
671-0457
Tillv. art.nr:
FDN360P
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

PowerTrench

Kapseltyp

SOT-23

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

80mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

500mW

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

6.2nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Framåtriktad spänning Vf

-1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

2.92mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

940μm

Bredd

1.4mm

Fordonsstandard

Nej

PowerTrench® MOSFET med P-kanal, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFETs är optimerade strömbrytare som ger ökad systemeffektivitet och effekttäthet. De kombinerar liten grindladdning (Qg), liten omvänd återhämtningsladdning (Qrr) och mjuk omvänd återhämtningsdiod, vilket bidrar till snabb växling av synkron likriktning i AC/DC-strömförsörjningar.

De senaste PowerTrench® MOSFET:erna har en struktur med avskärmad grind som ger laddningsbalans. Tack vare denna avancerade teknik är FOM (Figure of Merit) för dessa enheter betydligt lägre än för tidigare generationer.

PowerTrench® MOSFET:ernas prestanda med mjuk diod kan eliminera snubberkretsar eller ersätta en MOSFET med högre spänning.

MOSFET-transistorer, ON Semi


ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.

ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.

Relaterade länkar