onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 200 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS138L
- RS-artikelnummer:
- 103-2965
- Tillv. art.nr:
- BSS138LT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 3000 enheter)*
1 689,00 kr
(exkl. moms)
2 112,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 54 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | 0,563 kr | 1 689,00 kr |
| 15000 + | 0,549 kr | 1 647,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 103-2965
- Tillv. art.nr:
- BSS138LT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 200mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 50V | |
| Serie | BSS138L | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 225mW | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 160nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 1.3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 2.9mm | |
| Höjd | 0.94mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 200mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 50V | ||
Serie BSS138L | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 225mW | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 160nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 1.3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 2.9mm | ||
Höjd 0.94mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CZ
Effekt-MOSFET med N-kanal, 50 V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 200 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS138L
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 200 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, BSS138L AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 2.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 2.2 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 1.9 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, FDN357N
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 2.2 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, FDN337N
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 280 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, NDS7002A
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 500 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, MMBF170L