Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -30 A -30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 904-970
- Tillv. art.nr:
- SQJ951EP-T1_NE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Få en mängdrabatt
Lägg till 10 till för att spara 82,90 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 1 enhet)*
22,40 kr
(exkl. moms)
28,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 10 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Tejp(er) | Per tejp | Besparing |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 22,40 kr | - |
| 10 - 99 | 14,11 kr | 82,90 kr |
| 100 - 499 | 9,30 kr | 1 310,00 kr |
| 500 - 999 | 7,39 kr | 7 505,00 kr |
| 1000 + | 6,61 kr | 15 790,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 904-970
- Tillv. art.nr:
- SQJ951EP-T1_NE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | P-kanal | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -30A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kapseltyp | PowerPAK | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.017Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 33nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 56W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 6.15mm | |
| Standarder/godkännanden | ROHS | |
| Bredd | 5.13mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp P-kanal | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -30A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Kapseltyp PowerPAK | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.017Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 33nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 56W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 6.15mm | ||
Standarder/godkännanden ROHS | ||
Bredd 5.13mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- GB
Vishays högpresterande dubbla P-kanal-MOSFET för fordon är utformad för effektiv strömhantering i tillämpningar som kräver robust prestanda och termisk stabilitet.
AEC-Q101-kvalificerad för fordonsstandarder
TrenchFET-teknik säkerställer låg påslagningsresistans
Helt testad för tillförlitlighet under stränga förhållanden
Blyfri och halogenfri konstruktion stöder miljööverensstämmelse
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 266 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 445 A 30 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), TrenchFET Gen IV AEC-Q101
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -175 A -80 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -230 A -40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK (8x8LR), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -222 A -60 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -128 A -80 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -4.53 A -80 V Förbättring, 6 Ben, PowerPAK SC-70W-6L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -8.7 A -40 V Förbättring, 6 Ben, PowerPAK SC-70W-6L, TrenchFET AEC-Q101