Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 40 A 80 V N, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 851-503
- Tillv. art.nr:
- SIR178DP-T1-UE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 1 enhet)*
28,67 kr
(exkl. moms)
35,84 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 01 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Tejp(er) | Per tejp |
|---|---|
| 1 - 9 | 28,67 kr |
| 10 - 99 | 18,37 kr |
| 100 - 499 | 12,66 kr |
| 500 - 999 | 10,75 kr |
| 1000 + | 9,86 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 851-503
- Tillv. art.nr:
- SIR178DP-T1-UE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 40A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kapseltyp | PowerPAK | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.0029Ω | |
| Kanalläge | N | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 375W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 69.5nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 1.04mm | |
| Bredd | 5.25mm | |
| Längd | 6.05mm | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 Qualified | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Serie TrenchFET | ||
Kapseltyp PowerPAK | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.0029Ω | ||
Kanalläge N | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 375W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 69.5nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 1.04mm | ||
Bredd 5.25mm | ||
Längd 6.05mm | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 Qualified | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- TW
Vishays N-kanal MOSFET är utformad för att ge effektiv strömhantering i olika applikationer. Dess kompakta PowerPAK SO-8-förpackning säkerställer tillförlitlighet och prestanda, vilket gör den till ett mångsidigt val för modern elektronik.
Har TrenchFET Gen IV-teknik för förbättrad effektivitet
Erbjuder mycket låg påslagningsresistans för att minska effektförlusten
Utformad för drift med lågspänningsgrindrivning vid 2,5 V
100 % testad för R och UIS för att säkerställa kvalitet och tillförlitlighet
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 40 A 80 V N, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 100 A 60 V N, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 20 A 250 V N, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 42.3 A 70 V N, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 19 A 60 V N, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 45.3 A 70 V N, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 116 A 80 V N, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 208 A 45 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET