Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 375 A 60 V Förbättringsläge, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 851-495
- Tillv. art.nr:
- SIHG033N60SF-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
82,77 kr
(exkl. moms)
103,46 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 29 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 82,77 kr |
| 10 - 99 | 55,55 kr |
| 100 - 499 | 45,47 kr |
| 500 - 999 | 38,53 kr |
| 1000 + | 33,71 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 851-495
- Tillv. art.nr:
- SIHG033N60SF-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 375A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | PowerPAK | |
| Serie | TrenchFET | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1Ω | |
| Kanalläge | Förbättringsläge | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 101nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 375W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 5mm | |
| Längd | 6mm | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 Qualified | |
| Höjd | 1mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 375A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp PowerPAK | ||
Serie TrenchFET | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1Ω | ||
Kanalläge Förbättringsläge | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 101nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal effektförlust Pd 375W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 5mm | ||
Längd 6mm | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 Qualified | ||
Höjd 1mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishays effekt-MOSFET är utformad för högpresterande omkopplingstillämpningar och ger exceptionell effektivitet och tillförlitlighet. Denna komponent har snabb kroppsdiodteknik, vilket gör den lämplig för krävande spännings- och strömförhållanden.
Den senaste generationens SF-serieteknik förbättrar prestandan och livslängden
Låg meritfaktor säkerställer effektiv drift
Avalancheenergiklassad, vilket säkerställer robusthet under extrema förhållanden
Materialkategorisering underlättar efterlevnad i olika tillämpningar
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 375 A 60 V Förbättringsläge, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 87 A 650 V, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 352 A 80 V Förbättringsläge, 8 Ben, PowerPAK (8x8LR), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 63 A 650 V, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 116 A 80 V N, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 20 A 250 V N, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 42.3 A 70 V N, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 40 A 80 V N, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101