Vishay P-kanal Kanal, Enkla MOSFETs, 50 A 40 V Förbättringsläge, 3 Ben, TO-252, SQD
- RS-artikelnummer:
- 829-350
- Tillv. art.nr:
- SQD50P04-13L_NE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
9,52 kr
(exkl. moms)
11,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 09 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 24 | 9,52 kr |
| 25 - 99 | 9,30 kr |
| 100 - 499 | 8,96 kr |
| 500 - 999 | 7,84 kr |
| 1000 + | 7,28 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 829-350
- Tillv. art.nr:
- SQD50P04-13L_NE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | P-kanal | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 50A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | SQD | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.013Ω | |
| Kanalläge | Förbättringsläge | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 60nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal effektförlust Pd | 136W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Bredd | 6.5mm | |
| Längd | 6.1mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp P-kanal | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 50A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie SQD | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.013Ω | ||
Kanalläge Förbättringsläge | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 60nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal effektförlust Pd 136W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 2.3mm | ||
Bredd 6.5mm | ||
Längd 6.1mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- GB
Vishays effekt-MOSFET ger högpresterande omkopplingsmöjligheter, speciellt utformad för fordonstillämpningar, vilket säkerställer tillförlitlighet och effektivitet under krävande förhållanden.
TrenchFET-teknik förbättrar energieffektiviteten
Låg termisk resistans möjliggör effektiv värmehantering
Robust AEC-Q101-kvalificering säkerställer högkvalitativ prestanda
100 % Rg och UIS-testad för tillförlitlighet i drift
Relaterade länkar
- Vishay P-kanal Kanal, Enkla MOSFETs, 50 A -60 V Förbättringsläge, 3 Ben, TO-252, SQD AEC-Q101
- Vishay P-kanal Kanal, Enkla MOSFETs, -36 A -60 V Förbättringsläge, 8 Ben, P, SQJ
- Vishay P-kanal Kanal, Enkla MOSFETs, -6.3 A -30 V Förbättringsläge, 4 Ben, MIKROFOT, TrenchFET
- Vishay P-kanal Kanal, Enkla MOSFETs, -120 A -40 V Förbättringsläge, 3 Ben, TO-263, SQM
- Vishay P-kanal Kanal, Enkla MOSFETs, -93 A -100 V Förbättringsläge, 3 Ben, TO-263, SQM
- Vishay P-kanal Kanal, Enkla MOSFETs, -120 A -60 V Förbättringsläge, 3 Ben, TO-263, SI
- Vishay P-kanal Kanal, Enkla MOSFETs, 6.8 A 30 V Förbättringsläge, 6 Ben, TSOP-6, SQ
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 100 A 60 V Förbättringsläge, 8 Ben, P, SQJ