Microchip N-kanal Kanal, MOSFET, 41 A 500 V, 4 Ben, SOT, Power MOS 7
- RS-artikelnummer:
- 813-813
- Tillv. art.nr:
- APT5010JLLU2
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Antal (1 enhet)*
273,95 kr
(exkl. moms)
342,44 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 21 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 273,95 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 813-813
- Tillv. art.nr:
- APT5010JLLU2
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N-kanal | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 41A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 500V | |
| Kapseltyp | SOT | |
| Serie | Power MOS 7 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 100mΩ | |
| Maximal effektförlust Pd | 378W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 38.02mm | |
| Bredd | 11.2mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N-kanal | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 41A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 500V | ||
Kapseltyp SOT | ||
Serie Power MOS 7 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 100mΩ | ||
Maximal effektförlust Pd 378W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 38.02mm | ||
Bredd 11.2mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- PH
Microchips högpresterande MOSFET-enhet är utformad för effektiv drift i krävande applikationer. Denna komponent utmärker sig i både AC- och DC-motorstyrning, vilket ger robusta energihanteringslösningar.
500 V drain-source-överspänning ökar tillförlitligheten i olika tillämpningar
Lågt ON-motstånd på 100 mΩ minimerar energiförlusten och optimerar prestandan
Utformad med låg grindladdning för förbättrad omkopplingseffektivitet
Byggd med ett robust paket som stöder direktmontering på kylelement
Relaterade länkar
- Microchip N-kanal Kanal, MOSFET, 32 A 500 V, 4 Ben, SOT, Power MOS 7
- Microchip Typ N Kanal, MOSFET 500 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, LND150
- Microchip Typ P Kanal, MOSFET, 160 mA 500 V Förbättring, 3 Ben, SOT-89, VP2450
- Microchip Typ N Kanal, MOSFET, 140 mA 240 V MOSFET, 3 Ben, SOT-23
- Microchip Typ N Kanal, MOSFET, 250 mA 300 V MOSFET, 3 Ben, SOT-23
- Microchip Typ P Kanal, MOSFET, -200 mA 350 V MOSFET, 3 Ben, SOT-23
- Microchip Typ P Kanal, MOSFET, 0.6 A 40 V MOSFET, 3 Ben, SOT-23
- Microchip Typ N Kanal, MOSFET, 1.5 A 50 V MOSFET, 3 Ben, SOT-89, VN3205
