Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 461 A 60 V N, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, TrenchFET Gen IV
- RS-artikelnummer:
- 790-428
- Tillv. art.nr:
- SIJK4610-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Denna bild representerar endast produktgruppen
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 50 enheter)*
2 358,70 kr
(exkl. moms)
2 948,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 14 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 47,174 kr | 2 358,70 kr |
| 250 + | 45,855 kr | 2 292,75 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 790-428
- Tillv. art.nr:
- SIJK4610-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N-kanal | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 461A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | PowerPAK 10 x 12 | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.0012Ω | |
| Kanalläge | N | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 446W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 160nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 12mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 10mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N-kanal | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 461A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp PowerPAK 10 x 12 | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.0012Ω | ||
Kanalläge N | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 446W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 160nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 12mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 10mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- IL
Vishays N-kanal MOSFET ger överlägsen prestanda för olika applikationer. Med en robust design minimerar den effektförluster och erbjuder exceptionell ledningseffektivitet, vilket gör den idealisk för strömhanteringssystem.
Driftsspänning på 60 V ökar systemets tillförlitlighet
Har låg påslagningsresistans för minskad effektförlust
Kelvin-anslutning minskar avsevärt störningar från grindljud
Robust kontinuerlig dräneringsströmkapacitet på 77 A säkerställer optimal prestanda
Relaterade länkar
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 361 A 80 V N, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, TrenchFET Gen IV
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 108 A 45 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 92.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay 2 Typ N Kanal Gemensam drain, Effekt-MOSFET, 52 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay 2 Typ N Kanal Gemensam drain, Effekt-MOSFET, 60 A 25 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 245 A 30 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), TrenchFET Gen IV AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 445 A 30 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), TrenchFET Gen IV AEC-Q101
