ROHM N-kanal Kanal, MOSFET, 12 A 60 V, 8 Ben, HSMT AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
780-679
Tillv. art.nr:
RQ3L120BLFRATCB
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Kanaltyp

N-kanal

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

12A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

HSMT

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

40mΩ

Maximal effektförlust Pd

40W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

10V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

7.5nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

0.9mm

Längd

3.3mm

Bredd

3.1mm

Standarder/godkännanden

RoHS Compliant

Fordonsstandard

AEC-Q101

ROHM Power MOSFET levererar högpresterande N-kanalswitchning för fordonsströmhantering. Denna AEC-Q101-kvalificerade enhet är konstruerad för ADAS- och karossstyrningssystem, vilket säkerställer effektiv drift i krävande fordonsmiljöer upp till 150 °C.

Drain till källspänning på 60 V

Kontinuerlig avtappningsström på 12 A

35 mΩ typisk påslagningsresistans vid 10 V

Låg grindladdning på 7,5 nC för snabb omkoppling

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.