ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, RQ3 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 265-253
- Tillv. art.nr:
- RQ3L120BKFRATCB
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 10 enheter)*
66,98 kr
(exkl. moms)
83,72 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 100 enhet(er) från den 18 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 6,698 kr | 66,98 kr |
| 100 - 240 | 6,373 kr | 63,73 kr |
| 250 - 490 | 5,902 kr | 59,02 kr |
| 500 - 990 | 5,432 kr | 54,32 kr |
| 1000 + | 5,23 kr | 52,30 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 265-253
- Tillv. art.nr:
- RQ3L120BKFRATCB
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 12A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | RQ3 | |
| Kapseltyp | HSMT-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 7.3nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 40W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 12A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie RQ3 | ||
Kapseltyp HSMT-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 7.3nC | ||
Maximal effektförlust Pd 40W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
ROHMs MOSFET av fordonskvalitet är en idealisk lösning för avancerade förarassistanssystem, infotainment, belysning och karosstillämpningar. Dess robusta konstruktion säkerställer tillförlitlig drift i krävande fordonsmiljöer. Realisering av hög monteringstillförlitlighet genom originalterminal och plätering.
RoHS-kompatibel
AEC Q101-kvalificerad
Litet paket med hög effekt
Relaterade länkar
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 27 A 40 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, RQ3 AEC-Q101
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 27 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, RQ3 AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 12 A 40 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, RQ3 AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, RQ3 AEC-Q101
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET 60 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, RQ3
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 60 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, RQ3
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 95 A 40 V Förbättring, HSMT-8, RH6G040BG AEC-Q101
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 100 V Förbättring, HSMT-8, RH6P040BH AEC-Q101