ROHM N-kanal Kanal, MOSFET, 12 A 40 V, 8 Ben, HSMT AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 längd med 10 enheter)*

66,94 kr

(exkl. moms)

83,68 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per tejp*
10 - 906,694 kr66,94 kr
100 - 4905,895 kr58,95 kr
500 +4,755 kr47,55 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
780-667
Tillv. art.nr:
RQ3G120BKFRATCB
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Kanaltyp

N-kanal

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

12A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

HSMT

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

28mΩ

Maximal effektförlust Pd

40W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

8.5nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

10V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

3.3mm

Höjd

0.9mm

Standarder/godkännanden

RoHS Compliant

Bredd

3.1mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

ROHM Power MOSFET levererar högpresterande N-kanalswitchning för fordonsströmhantering. Denna robusta enhet är konstruerad för ADAS- och infotainment-system, vilket säkerställer effektiv prestanda i krävande fordonsmiljöer upp till 150 °C.

Drain till källspänning på 40 V

Kontinuerlig avtappningsström på 12 A

17,4 mOhm typisk påslagningsresistans vid 10 V

Hög effektförlust på 40 W

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.