ROHM N-kanal Kanal, MOSFET, 240 A 60 V, 3 Ben, TO-263AB-3LSHYAD
- RS-artikelnummer:
- 780-362
- Tillv. art.nr:
- RJ1L10BBGTL1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 2 enheter)*
96,15 kr
(exkl. moms)
120,188 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 100 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 48,075 kr | 96,15 kr |
| 20 - 98 | 42,315 kr | 84,63 kr |
| 100 + | 34,19 kr | 68,38 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 780-362
- Tillv. art.nr:
- RJ1L10BBGTL1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N-kanal | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 240A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-263AB-3LSHYAD | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.41mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 10V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 160nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 192W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 4.77mm | |
| Längd | 10.36mm | |
| Bredd | 8.9mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N-kanal | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 240A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-263AB-3LSHYAD | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.41mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 10V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 160nC | ||
Maximal effektförlust Pd 192W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 4.77mm | ||
Längd 10.36mm | ||
Bredd 8.9mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHM Power MOSFET ger högpresterande N-kanalswitchning för högströmshantering. Denna robusta enhet är konstruerad för motordrivenheter och DC/DC-omvandlare, vilket säkerställer exceptionell effektivitet i krävande industriella omkopplingskretsar.
Drain till källspänning på 60 V
Kontinuerlig avtappningsström på 105 A
Ultralåg typisk påslagningsresistans på 1,85 mΩ
Hög effektförlust på 192 W
Relaterade länkar
- ROHM N-kanal Kanal, MOSFET, 280 A 40 V, 3 Ben, TO-263AB-3LSHYAD
- ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263AB-3LSHYAD, RJ1N04BBHT
- ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263AB, RJ1
- ROHM 1 Typ N Kanal, MOSFET, 105 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263AB, RJ1
- ROHM 1 Typ N Kanal, MOSFET, 170 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263AB, RJ1
- ROHM 1 Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263AB, RJ1
- ROHM 1 Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263AB, RJ1
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 240 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, RX3L18BBG