ROHM N Kanal, MOSFET, 240 A 60 V, 3 Ben, TO-263AB-3LSHYAD

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
780-362
Tillv. art.nr:
RJ1L10BBGTL1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

240A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

TO-263AB-3LSHYAD

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

2.41mΩ

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

160nC

Maximal effektförlust Pd

192W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

10V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS Compliant

Bredd

8.9mm

Längd

10.36mm

Höjd

4.77mm

Fordonsstandard

Nej

ROHM Power MOSFET ger högpresterande N-kanalswitchning för högströmshantering. Denna robusta enhet är konstruerad för motordrivenheter och DC/DC-omvandlare, vilket säkerställer exceptionell effektivitet i krävande industriella omkopplingskretsar.

Drain till källspänning på 60 V

Kontinuerlig avtappningsström på 105 A

Ultralåg typisk påslagningsresistans på 1,85 mΩ

Hög effektförlust på 192 W

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.