Infineon Halvbrygga N-kanal Kanal, MOSFET-moduler, 620 A 750 V Förbättring, 30 Ben, PG-TSON-12, HybridPACK

Denna bild representerar endast produktgruppen

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 enhet)*

21 881,59 kr

(exkl. moms)

27 351,99 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 6 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 +21 881,59 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
762-980
Tillv. art.nr:
FS01MR08A8MA2CHPSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET-moduler

Kanaltyp

N-kanal

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

620A

Maximal källspänning för dränering Vds

750V

Kapseltyp

PG-TSON-12

Serie

HybridPACK

Typ av fäste

Skruv

Antal ben

30

Maximal drain-källresistans Rds

8.3mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

6.73V

Maximal effektförlust Pd

20mW

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

1.5μC

Transistorkonfiguration

Halvbrygga

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS Compliant

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
DE
Infineons HybridPACK Drive G2-modul använder silikonkarbid (SiC) MOSFET, som erbjuder en maximal spänning på 750 V och en nominell ström på 620 A. Dess konstruktion har låg påslagningsresistans, minimala omkopplingsförluster och en robust isoleringskapacitet på 4,25 kV. Utformad för hög prestanda, den upprätthåller drifttemperaturer upp till 200 °C.

Kompakt design

Hög effekttäthet

Direktkyld PinFin-bottenplatta

Integrerad temperaturavkänningsdiod

PressFIT-kontaktteknik

RoHS-kompatibel, blyfri

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.