Infineon Halvbrygga N-kanal Kanal, MOSFET-moduler, 620 A 750 V Förbättring, 30 Ben, PG-TSON-12, HybridPACK
- RS-artikelnummer:
- 762-980
- Tillv. art.nr:
- FS01MR08A8MA2CHPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Denna bild representerar endast produktgruppen
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
11 289,38 kr
(exkl. moms)
14 111,72 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 3 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 11 | 11 289,38 kr |
| 12 + | 10 867,36 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 762-980
- Tillv. art.nr:
- FS01MR08A8MA2CHPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET-moduler | |
| Kanaltyp | N-kanal | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 620A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 750V | |
| Serie | HybridPACK | |
| Kapseltyp | PG-TSON-12 | |
| Typ av fäste | Skruv | |
| Antal ben | 30 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8.3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 1.5μC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 6.73V | |
| Maximal effektförlust Pd | 20mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Halvbrygga | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET-moduler | ||
Kanaltyp N-kanal | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 620A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 750V | ||
Serie HybridPACK | ||
Kapseltyp PG-TSON-12 | ||
Typ av fäste Skruv | ||
Antal ben 30 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8.3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 1.5μC | ||
Framåtriktad spänning Vf 6.73V | ||
Maximal effektförlust Pd 20mW | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Transistorkonfiguration Halvbrygga | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- DE
Infineons HybridPACK Drive G2-modul använder silikonkarbid (SiC) MOSFET, som erbjuder en maximal spänning på 750 V och en nominell ström på 620 A. Dess konstruktion har låg påslagningsresistans, minimala omkopplingsförluster och en robust isoleringskapacitet på 4,25 kV. Utformad för hög prestanda, den upprätthåller drifttemperaturer upp till 200 °C.
Kompakt design
Hög effekttäthet
Direktkyld PinFin-bottenplatta
Integrerad temperaturavkänningsdiod
PressFIT-kontaktteknik
RoHS-kompatibel, blyfri
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 620 A 750 V Förbättring, HybridPACK Drive G2, HybridPACK Drive G2
- Infineon N-kanal Kanal, IGBT-modul, 300 A 1200 V, HybridPACK, HybridPACK
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 510 A 60 V Förbättring, 12 Ben, PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 460 A 60 V Förbättring, 12 Ben, PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 339 A 60 V Förbättring, 12 Ben, PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 394 A 60 V Förbättring, 12 Ben, PG-TSON-12, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 390 A 1200 V Förbättring, HybridPACK Drive G2, HybridPACK Drive G2
- Infineon AQG 324, IGBT, Typ N Kanal Halvbrygga, 310 A 1200 V, HybridPACK Drive G2 6 Skruv