Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 207 A 1400 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC
- RS-artikelnummer:
- 762-946
- Tillv. art.nr:
- IMYR140R008M2HXLSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
438,26 kr
(exkl. moms)
547,82 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 240 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 438,26 kr |
| 10 - 99 | 373,86 kr |
| 100 + | 327,04 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 762-946
- Tillv. art.nr:
- IMYR140R008M2HXLSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | N-kanal | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 207A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1400V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Kapseltyp | PG-TO247-4 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 710W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 203nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 23.8mm | |
| Höjd | 4.9mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp N-kanal | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 207A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1400V | ||
Serie CoolSiC | ||
Kapseltyp PG-TO247-4 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 710W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 203nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 23.8mm | ||
Höjd 4.9mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon CoolSiC 1400 V G2 SiC MOSFET har en klassning på 1400 V och en strömkapacitet på 147 A vid 100 °C, med en låg påslagningsresistans på 8,5 mΩ. Den stöder hög termisk prestanda och tål kortslutningar i 2 μs. Enheten är utformad med robust skydd mot parasitisk påslagning och ett högt krypavstånd.
Mycket låga omkopplingsförluster
Robust husdiod för hård omkoppling
Bred strömförsörjning för hög strömkapacitet
Resistiva svetsbara stift för direktanslutning av samlingsskenor
Relaterade länkar
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 100 A 1400 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 103 A 650 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 89 A 750 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 38 A 650 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 16 A 750 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 750 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 44 A 750 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 750 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC