Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 207 A 1400 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC
- RS-artikelnummer:
- 762-946
- Tillv. art.nr:
- IMYR140R008M2HXLSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
438,26 kr
(exkl. moms)
547,82 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 438,26 kr |
| 10 - 99 | 373,86 kr |
| 100 + | 327,04 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 762-946
- Tillv. art.nr:
- IMYR140R008M2HXLSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 207A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1400V | |
| Kapseltyp | PG-TO247-4 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 203nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 710W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 23.8mm | |
| Bredd | 16mm | |
| Höjd | 4.9mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 207A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1400V | ||
Kapseltyp PG-TO247-4 | ||
Serie CoolSiC | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 203nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 710W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 23.8mm | ||
Bredd 16mm | ||
Höjd 4.9mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon CoolSiC 1400 V G2 SiC MOSFET har en klassning på 1400 V och en strömkapacitet på 147 A vid 100 °C, med en låg påslagningsresistans på 8,5 mΩ. Den stöder hög termisk prestanda och tål kortslutningar i 2 μs. Enheten är utformad med robust skydd mot parasitisk påslagning och ett högt krypavstånd.
Mycket låga omkopplingsförluster
Robust husdiod för hård omkoppling
Bred strömförsörjning för hög strömkapacitet
Resistiva svetsbara stift för direktanslutning av samlingsskenor
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 100 A 1400 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 44 A 750 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 75 A 750 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 60 A 750 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 16 A 750 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 32 A 750 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 23 A 750 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 103 A 650 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC