Infineon N Kanal, MOSFET, 103 A 650 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC

Denna MOSFET är en effekttransistor av kiselkarbid som är utformad för högspänningsswitchning i krävande industriella miljöer. Den fungerar som en N-kanalförstärkningsenhet och levereras i en 4-stifts PG-TO247-4-förpackning med genomgående hål som är lämplig för kylelement och konventionella monteringsmetoder. Komponenten stöder kontinuerlig drift med hög ström och är specifik för användning i ett brett temperaturområde, vilket gör den lämplig för system som kräver kontinuerlig effekthantering vid förhöjda kopplingstemperaturer.

• 650 V dräneringsspänning möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar
• 103 A kontinuerlig dräneringsström stöder höga strömbelastningar
• 18 mΩ RDS(on) minskar ledningsförluster för högre effektivitet
• 79 nC typisk grindladdning ger förutsägbart omkopplingsbeteende
• Maximal effektförlust på 341 W möjliggör betydande termisk belastning
• Klassad för drift från -55 °C till 175 °C för användning i extrema temperaturer

• Lämplig för industriella motorstyrningsstegen
• Idealisk för högspänningsströmförsörjningar och växelriktare
• Används med robusta kylelement i omvandlare
• Kan användas för högströms DC-DC-omvandlingssystem
• Lämplig för byte i kraftelektronik med genomgående hål

Den levereras i en PG-TO247-4-kapsel med genomgående hålmontering för lödning eller bultning av kylelement.

Den typiska grindladdningen på 79 nC indikerar grinddrivarenergi och påverkar valda drivkrafts- och växlingshastighetskompensationer.

Enheten kan dissipera upp till 341 W under specificerade förhållanden och är klassad för drift upp till 175 °C för högtemperatursystemkonstruktioner.

Det är inte specificerat att uppfylla fordonsstandardgodkännanden och bör bedömas mot fordonskvalificeringsbehov.