Infineon N Kanal, MOSFET, 23 A 750 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC
- RS-artikelnummer:
- 349-345
- Tillv. art.nr:
- IMZA75R090M1HXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 10 till för att spara 91,90 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
90,50 kr
(exkl. moms)
113,12 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 235 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 90,50 kr | - |
| 10 - 99 | 81,31 kr | 91,90 kr |
| 100 - 499 | 74,82 kr | 1 568,00 kr |
| 500 - 999 | 69,44 kr | 10 530,00 kr |
| 1000 + | 62,27 kr | 28 230,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-345
- Tillv. art.nr:
- IMZA75R090M1HXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 23A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 750V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Kapseltyp | PG-TO247-4 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 117mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 23V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 113W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 23A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 750V | ||
Serie CoolSiC | ||
Kapseltyp PG-TO247-4 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 117mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 23V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximal effektförlust Pd 113W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Infineons 750 V CoolSiC Power Device G1 bygger på Infineons solida kiselkarbidteknik, utvecklad under mer än 20 år. Genom att utnyttja de unika egenskaperna hos SiC-material med brett bandgap levererar 750 V CoolSiC MOSFET en unik kombination av prestanda, tillförlitlighet och användarvänlighet. Den är speciellt utformad för hög temperatur och tuffa driftsförhållanden, vilket möjliggör förenklad och kostnadseffektiv implementering av system med högsta effektivitet. Denna MOSFET är perfekt för tillämpningar som kräver robusta prestanda och energieffektiva lösningar.
Förbättrad robusthet och tillförlitlighet för busspänningar över 500 V
Överlägsen effektivitet vid hård omkoppling
Högre omkopplingsfrekvens i mjuka omkopplingstopologier
Robusthet mot parasitisk påslagning för unipolär grindstyrning
Minskade omkopplingsförluster genom förbättrad grindkontroll
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 23 A 750 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 60 A 750 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 32 A 750 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 89 A 750 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 44 A 750 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 75 A 750 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 16 A 750 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 32 A 750 V Förbättring, 4 Ben, PG-TO247-4, CoolSiC AEC-Q101