Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 26.6 A 650 V Förbättring, 4 Ben, TO-247-4, CoolSiC
- RS-artikelnummer:
- 762-920
- Tillv. art.nr:
- IMZA65R075M2HXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
83,44 kr
(exkl. moms)
104,30 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 21 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 83,44 kr |
| 10 - 99 | 55,33 kr |
| 100 - 479 | 44,80 kr |
| 480 - 1199 | 39,76 kr |
| 1200 + | 35,17 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 762-920
- Tillv. art.nr:
- IMZA65R075M2HXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N-kanal | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 26.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Kapseltyp | TO-247-4 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 95mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 14.9nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 111W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 5.1mm | |
| Längd | 21.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N-kanal | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 26.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie CoolSiC | ||
Kapseltyp TO-247-4 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 95mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 14.9nC | ||
Maximal effektförlust Pd 111W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 5.1mm | ||
Längd 21.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Infineon CoolSiC MOSFET ger oöverträffad prestanda, överlägsen tillförlitlighet och stor användarvänlighet. Det möjliggör kostnadseffektiva, högeffektiva och förenklade konstruktioner för att uppfylla de ständigt växande system- och marknadsbehoven.
Mycket låga omkopplingsförluster
Förbättrar systemets robusthet och tillförlitlighet
Underlättar användarvänlighet och integration
Minskar systemens storlek, vikt och materialförmåga
Relaterade länkar
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 74 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 74 A 1400 V Förbättring, 4 Ben, TO-247-4, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 92 A 25 V Förbättring, 4 Ben, TO-247-4, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 52 A 25 V Förbättring, 4 Ben, TO-247-4, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 65 A 1400 V Förbättring, 4 Ben, TO-247-4, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 40 A 400 V Förbättring, 4 Ben, TO-247-4, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 112 A 400 V Förbättring, 4 Ben, TO-247-4, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 46 A 400 V Förbättring, 4 Ben, TO-247-4, CoolSiC