Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 51 A 1200 V N, 4 Ben, TO-247-4L, MXP
- RS-artikelnummer:
- 736-649
- Tillv. art.nr:
- MXP120A045SL-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
167,22 kr
(exkl. moms)
209,02 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 25 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 4 | 167,22 kr |
| 5 + | 163,86 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 736-649
- Tillv. art.nr:
- MXP120A045SL-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N-kanal | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 51A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Serie | MXP | |
| Kapseltyp | TO-247-4L | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 82mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 22V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 4.9V | |
| Maximal effektförlust Pd | 254W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 83nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N-kanal | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 51A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Serie MXP | ||
Kapseltyp TO-247-4L | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 82mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 22V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 4.9V | ||
Maximal effektförlust Pd 254W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 83nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishays N-kanals Sic Mosfet levererar höghastighetsomkopplingsfunktioner skräddarsydda för avancerade solväxelriktare och energilagringssystem. Denna komponent förbättrar systemtillförlitligheten med en robust kortslutningshålltid på 3 mikrosekunder för att skydda kritisk strömelektronik.
Snabb omkopplingshastighet för minskad energiförlust
Tillförlitlig kortslutningstolerans på 3 mikrosekunder
Optimerad för avbrottsfri strömförsörjning
Överensstämmelse med hållbar materialkategorisering
Relaterade länkar
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 51 A 1200 V N, 3 Ben, TO-247AD 3L, MXP
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 51 A 650 V N, 3 Ben, TO-247-4L, NTH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 151 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247-4L, NTH
- Microchip N-kanal Kanal, MOSFET, 51 A 1200 V, 4 Ben, TO-247 AEC-Q101
- Microchip N-kanal Kanal, MOSFET, 27 A 3300 V, 4 Ben, TO-247-4L, mSiC
- onsemi 1 Typ N Kanal, MOSFET Förbättring, 4 Ben, TO-247-4L
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 650 V N, 4 Ben, TO-247-4L, NVH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 650 V N, 4 Ben, TO-247-4L, NTH