Vishay N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8S, SISS64DN
- RS-artikelnummer:
- 736-356
- Tillv. art.nr:
- SISS64DN-T1-UE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 längd med 1 enhet)*
10,98 kr
(exkl. moms)
13,72 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Tejp(er) | Per tejp |
|---|---|
| 1 + | 10,98 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 736-356
- Tillv. art.nr:
- SISS64DN-T1-UE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 40A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212-8S | |
| Serie | SISS64DN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.0021Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 57W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 21nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 3.3mm | |
| Längd | 3.3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212-8S | ||
Serie SISS64DN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.0021Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 57W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 21nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 3.3mm | ||
Längd 3.3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- IL
Vishays N-kanal MOSFET är utformad för effektiv strömhantering i olika applikationer, vilket säkerställer tillförlitlig drift under krävande förhållanden med avancerade funktioner för minskade omkopplingsförluster.
Stöder synkroniserad likriktning och tillämpningar med hög effekttäthet
Ultralåg påslagningsresistans vid specificerade grindspänningar
Hög kontinuerlig avtappningsström för krävande belastningar
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8S, SISS64DN
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -136.7 A -20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8S, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8S, SISS26DN
- Vishay N Kanal, MOSFET, 59 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8S, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 70.6 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8S, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 33.8 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8S
- Vishay N Kanal, MOSFET, 162 A 30 V Förbättring, 8 Ben, 1212-8S, SISS
- Vishay N Kanal, MOSFET, 162 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8S, SISS52DN