Vishay N Kanal, MOSFET, 70.6 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8S, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 735-242
- Tillv. art.nr:
- SISS586DN-T1-UE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Denna bild representerar endast produktgruppen
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
17,58 kr
(exkl. moms)
21,98 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 06 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 17,58 kr |
| 10 - 99 | 12,21 kr |
| 100 - 499 | 8,74 kr |
| 500 + | 7,17 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 735-242
- Tillv. art.nr:
- SISS586DN-T1-UE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 70.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212-8S | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.0085Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 65.7W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 19.5nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 3.3mm | |
| Längd | 3.3mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 70.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Serie TrenchFET | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212-8S | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.0085Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 65.7W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 19.5nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 3.3mm | ||
Längd 3.3mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- DE
Vishays N-kanal MOSFET är utformad för effektiv strömomkoppling i ett brett spektrum av elektroniska tillämpningar. Den levererar tillförlitlig prestanda med grundligt grindresistans och oklämpligt induktivt omkopplingstest, vilket säkerställer robust drift under krävande förhållanden. Enheten stöder miljöansvarig design med RoHS-kompatibel och halogenfri konstruktion, vilket gör den lämplig för moderna strömhanteringssystem.
Stöder hög tillförlitlighet i krävande miljöer
Lämpligt för synkrona likriktningstillämpningar
Idealisk för användning som primär sidomkopplare i strömomvandlare
Uppfyller RoHS-kompatibla och halogenfria krav
Relaterade länkar
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 59 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8S, TrenchFET
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -136.7 A -20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8S, TrenchFET
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8S, SISS26DN
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8S, SISS64DN
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 162 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8S, SISS52DN
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 54.7 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8S, SISS30DN
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 85 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 33.8 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8S