Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 162 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8S, SISS52DN

Antal (1 längd med 1 enhet)*

12,32 kr

(exkl. moms)

15,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 13 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Tejp(er)
Per tejp
1 +12,32 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
736-353
Tillv. art.nr:
SISS52DN-T1-BE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N-kanal

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

162A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

PowerPAK 1212-8S

Serie

SISS52DN

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.00095Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

57W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

38nC

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

16V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

3.3mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Bredd

3.3mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
IL
Vishays N-kanal MOSFET är utformad för robusta omkopplingstillämpningar och erbjuder utmärkt effektivitet och tillförlitlighet i energihanteringslösningar.

Testad för 100 % R g och UIS, vilket säkerställer överlägsen tillförlitlighet

Kategorisering av materialöverensstämmelse ökar miljösäkerheten

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.