Vishay N Kanal, MOSFET, 189 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK (8x8LR), TrenchFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 735-253
- Tillv. art.nr:
- SQJQ570ER-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
48,50 kr
(exkl. moms)
60,62 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 48,50 kr |
| 10 - 49 | 30,13 kr |
| 50 - 99 | 23,30 kr |
| 100 + | 19,04 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 735-253
- Tillv. art.nr:
- SQJQ570ER-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 189A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kapseltyp | PowerPAK (8x8LR) | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.0105Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 85nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 375W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 8mm | |
| Längd | 10.42mm | |
| Höjd | 1.9mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 189A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Serie TrenchFET | ||
Kapseltyp PowerPAK (8x8LR) | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.0105Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 85nC | ||
Maximal effektförlust Pd 375W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 8mm | ||
Längd 10.42mm | ||
Höjd 1.9mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 363 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK (8x8LR), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 105 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK (8x8LR), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -230 A -40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK (8x8LR), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 352 A 80 V Förbättringsläge, 8 Ben, PowerPAK (8x8LR), TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 430 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK (8x8LR) AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 329 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK (8x8LR), SQJQ186ER AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 430 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK (8x8LR), SQJQ184ER AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 18 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101